分辨率：二次电子(SE)像
高真空模式：15kV时0.5nm;1 kV时0.8nm;500 V时1.Onm;
长工作距离分辨：工作距离10 mm下，1 kV时1.0 nm;
大束流下分辨：6.4nA,工作距离10mm下，15kV时1.9 nm;
电子枪：高稳定度肖特基热场发射电子枪，自动烘烤、自动启动；
电子束流：1 pA～50 nA;

实现高分辨、大束流的微观分析，样品适应性广，功能丰富，自动化程度高。
复合物镜系统(电磁透镜、静电透镜),可实现完全无漏磁，可观察磁性材料；
新型多样品台(可同时放置平面，截面，预倾斜等样品);
最大可观测样品尺寸：直径200mm;
自动图像拍照和在线拼接软件，并可对任意视场进行回溯；

配备多个电子探测器：1、配备2个背散射电子探测器；2、镜筒内低电压高灵敏度背散射电子检测器，且可与镜筒内二次电子信号同时独立成像；3、镜筒内中位二次电子检测器；4、镜筒内高位低能量二次电子检测器，具有观察材料电位衬度的功能；极靴下自动伸缩式角度选择大尺寸8分割固体背散射探测器；5、样品室内ETD二次电子检测器。
配备高速、高精度的能谱及背散射一体化分析系统。