1．质量范围：7~238 amu；
2．灵敏度（总离子流峰高）> 1×1010 cps，1.6×10-9 A，铜样品，中分辨（R≥ 4000）；
3．质量分辨率（10%峰谷）：3个固定分辨率，LR≥ 300，MR≥ 4000，HR≥ 10000，计算机自动切换，切换时间≤ 1 s；
4．内部重复性，对载入的样品连续重复10次测定，计算相对标准偏差（RSD）：主量成份(大约10~50%) < 3%，次量成份(大约0.1%) < 5%，痕量成份（大约0.01~1ppm） < 10%；
5．外部重复性，对同一样品重复测量，每次测量均应包含测量条件的选择和样品载入的全过程，重复10次测定，计算相对标准偏差（RSD）：主量成份 < 5% ，次量成份 < 10%，痕量成份 <20%。

1. 痕量与超痕量元素分析：适用于航空航天材料（Ni、Ti、Ta、Re、Nb等超级合金）、溅射靶材、先进陶瓷材料（AlN、Al2O3、硅酸镱、氧化锆等）、稀土材料、光学/激光晶体、高纯半导体材料、特种涂层、镀膜、沉积物等；
2. 全元素分析覆盖：能够一次性对周期表中绝大多数元素（从氢到铀）进行定性和定量分析，包括难以分析的非金属元素（如C, N, O, S, P, Cl, F等）；
3. 深度剖析：对样品进行从表面到内部的逐层分析，获得元素浓度随深度分布的信息，用于分析镀层、氧化层或表面污染；
4. 固体直接分析：无需复杂的化学消解或溶解过程，可直接分析块状、片状或棒状的固体导电样品，避免了样品制备过程中带来的污染和稀释。

CNO附件