主要规格及技术指标
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1、二次电子分辨率:≥0.53 nm @ 15kV;≥0.82 nm @ 1kV; |
主要功能及特色
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Helios 5 CX可用于金属、半导体、电介质、多层膜结构等固体样品上高质量定点APT、TEM样品制备,化学和晶体结构三的表征。可进行离子束刻蚀、离子束沉积、电子束沉积;高分辨扫描电镜功能可对离子束加工试样进行实时观测。 |
主要附件及配置
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牛津UltimMax70EDS及C-Nano-EBSD分析系统:①EDS分辨率优于127eV(MnKα处)、元素分析范围Be4-Cf98、高分子超薄窗,100mm²有效面积;②EBSD在线最高标定解析速率优于600点/秒。 |